厂商：厦门烯成

型号： G-CVD

技术指标：

1.可以转移到2-6英寸Si及其他衬底。生长温度700-1000℃;

2.可转移5片2”/批

工艺特点：

兼容真空及常压两种最主流的生长模式;

1.采用计算机自动控制，系统内置了多种制备石墨烯的生长参数，用户只需简单操作，就可以轻松的制备出高质量的石墨烯;

2.可以制备出毫米尺寸的石墨烯大单晶，也可以制备出数十厘米尺寸的石墨烯连续薄膜;

3. 可快速升温、快速降温，生长一次石墨烯只需30分钟