设备简介：

厂商：AST  

型号 CIRIE-200

技术指标：

1.刻蚀气体：主要为氯气、三氯化硼;

2.刻蚀材料：GaN、蓝宝石;

3.wafer尺寸：2英寸或以下;

4.每炉片数：7片*2inch

工艺特点：

1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度，刻蚀深度几十nm到几个微米;

2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜，可以调节刻蚀的角度，在30度到80度。